900V Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRGBF20F is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRGBF20F is a high-speed, rugged N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high drain currents.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.