600V Copack IGBT in a D2-Pak package The IRGBC20KD2-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRGBC20KD2-S  

### **Type:**  
IGBT Module  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 20A  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Typically 1.8V (at specified conditions)  
- **Gate-Emitter Threshold Voltage (V_GE(th)):** Typically 5.5V  
- **Maximum Gate-Emitter Voltage (V_GEM):** ±20V  
- **Switching Speed:** Designed for fast switching applications  
- **Power Dissipation (P_D):** Varies based on operating conditions  

### **Descriptions:**  
- The IRGBC20KD2-S is a high-performance IGBT module optimized for power switching applications.  
- It is designed for industrial and automotive applications requiring efficient power control.  
- The module includes a built-in freewheeling diode for inductive load protection.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 20A continuous current.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation under varying thermal conditions.  
- **Integrated Diode:** Simplifies circuit design by including an anti-parallel diode.  

This information is based on Infineon's official documentation and datasheets. For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.