600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRGB15B60KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 15 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **Temperature-Stable Performance:** Designed for reliable operation under varying thermal conditions.  
- **Robust Construction:** Features short-circuit ruggedness and high noise immunity.  
- **Integrated Diode:** Includes a freewheeling diode for inductive load handling.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This IGBT is commonly used in power electronics applications such as motor drives, inverters, and power supplies.