600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRGB10B60KDPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 20A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 10A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRGB10B60KDPBF is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces power losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 20A at 25°C.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable performance across a wide temperature range.  
- **Robust Construction:** Features short-circuit ruggedness and high noise immunity.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced directly from Infineon's datasheet for the IRGB10B60KDPBF.