330V Plasma Display Panel Trench IGBT in a D2-Pak package The IRG6S330U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 50A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 30A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Typically 1.7V at 25A  
- **Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG6S330U is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and other high-frequency applications.  
- The device features an ultrafast soft recovery antiparallel diode for improved performance in inductive load switching.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Built-in Diode:** Includes an ultrafast soft recovery antiparallel diode for freewheeling applications.  
- **Robust Design:** High reliability under harsh operating conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.