600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D-Pak package The IRG4RC10U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 14A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 14A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 120ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4RC10U is a high-speed N-channel IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics and bipolar output characteristics, making it suitable for high-efficiency power switching.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and automotive applications.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafreewheeling diode for inductive load handling.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.