1200V UltraFast 8-40 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package The IRG4PSH71U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4PSH71U  

#### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 42A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 42A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 120ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

#### **Description:**  
The IRG4PSH71U is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency inverters, motor drives, and power supplies.  

#### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current capability** for robust performance.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation.  
- **Co-packaged with ultrafast soft recovery diode** for optimized switching.  
- **TO-247 package** for efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and knowledge base.

1200V UltraFast 8-40 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package