1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-274AA package The IRG4PSH71KDPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4PSH71KDPBF  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 42A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.15V (typical at I_C = 75A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- **Ultrafast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power switching.  
- **High Current Capability:** Suitable for high-power applications.  
- **Robust Design:** Features short-circuit ruggedness and high-temperature operation.  
- **Co-Pack Diode:** Includes an anti-parallel diode for improved performance in inductive load applications.  
- **Applications:** Commonly used in motor drives, inverters, UPS systems, and welding equipment.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRG4PSH71KDPBF. For detailed specifications, refer to the manufacturer's documentation.