1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-274AA package The IRG4PSH71KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 42A  
- **Pulse Current (I_CM):** 150A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRG4PSH71KD is a high-speed, low-loss IGBT designed for power switching applications.  
- It is part of Infineon’s NPT (Non-Punch Through) IGBT series, optimized for efficiency and reliability.  
- Suitable for motor drives, inverters, UPS systems, and welding equipment.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Maintains consistent operation across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Improves switching performance and reduces external component requirements.  

The device is packaged in a TO-247AD (3-pin) through-hole package for easy mounting.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)