1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package The IRG4PSH71K is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 42A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PSH71K is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications. It is part of IR’s UltraFast series, optimized for efficiency and low conduction losses. The device is suitable for inverters, motor drives, and other high-frequency switching circuits.  

### **Features:**  
- **UltraFast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Robust Construction:** Designed for high reliability in demanding applications.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an anti-parallel diode for inductive load handling.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package