600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package The IRG4PSC71U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 42A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 25A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical at I_C = 25A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PSC71U is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Ultra-Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Reliable operation under varying thermal conditions.  
- **Built-In Fast Recovery Diode:** Improves switching performance and reduces external component count.  
- **TO-247 Package:** Ensures robust thermal and electrical performance.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRG4PSC71U.