600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package The IRG4PSC71K is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 42A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 75A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 250ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PSC71K is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for motor drives, inverters, and UPS (Uninterruptible Power Supply) systems.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Maintains efficiency across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching performance.  
- **TO-247 Package:** Provides robust thermal and electrical performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRG4PSC71K IGBT.