1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH50UDPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 45A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 28A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 45A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 55ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 320ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PH50UDPBF is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Ultrafast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Robust Construction:** Designed for reliable performance in harsh environments.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an anti-parallel diode for inductive load handling.  

This information is based on Infineon’s datasheet for the IRG4PH50UDPBF.