1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH50UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 57A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 57A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 55ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 320ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PH50UD is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency inverters, motor drives, and power supplies.  
- The device features a rugged, monolithic construction with built-in fast recovery diode for improved performance in inductive load switching.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Built-in Diode:** Includes a fast recovery anti-parallel diode for inductive load handling.  
- **Temperature-Stable Operation:** Designed for reliable performance across a wide temperature range.  
- **TO-247 Package:** Robust mechanical design for efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.