1200V UltraFast 5-40 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH50U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 45A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 45A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**
- The IRG4PH50U is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  
- The device features a rugged, monolithic construction for improved reliability.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 1200V breakdown voltage for robust performance in high-power applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Minimizes switching losses in high-frequency circuits.  
- **Temperature-Stable Operation:** Maintains performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances efficiency in inductive load switching.  
- **TO-247AC Package:** Provides efficient thermal dissipation and mechanical strength.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.