1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH50S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage (V_CES):** 1200V  
- **Current (I_C @ 25°C):** 45A  
- **Current (I_C @ 100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 250ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRG4PH50S is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems.

### **Features:**
- **Fast switching speed**  
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))**  
- **High input impedance**  
- **Robust and reliable performance**  
- **Co-packaged with an ultrafast recovery diode**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.