**Part Number:** IRG4PH50KD  

**Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 45A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical) @ I_C = 45A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 55ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 320ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

**Descriptions:**  
The IRG4PH50KD is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems.  

**Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat))  
- Fast switching speed  
- High input impedance  
- Robust and reliable performance  
- Co-packaged with an ultrafast recovery diode  
- Suitable for high-frequency applications  

Note: Specifications may vary based on operating conditions. Always refer to the datasheet for precise details.