1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH50K is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 45A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 45A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 300ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Ultra-Fast Switching:** Designed for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  
- **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
- **Robust Construction:** Suitable for high-power applications.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance.  
- **Applications:** Used in power inverters, motor drives, UPS systems, and welding equipment.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package