1200V UltraFast 5-40 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH40UPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Voltage (V_CES):** 600V  
- **Current (I_C @25°C):** 20A  
- **Current (I_C @100°C):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 20A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 300ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**
- The IRG4PH40UPBF is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion and motor control applications.  
- The device includes a co-packaged ultrafast soft recovery diode for improved performance in inductive load switching.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency operation.  
- **High current capability** with a rugged design.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable performance.  
- **Built-in ultrafast diode** for improved efficiency in freewheeling applications.  

This IGBT is commonly used in inverters, UPS systems, welding equipment, and motor drives.