1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH30KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRG4PH30KD is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Integrated anti-parallel diode for inductive load handling.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRG4PH30KD. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.