1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH20KPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 20A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.2V (typical at I_C = 20A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 30ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PH20KPBF is a high-speed N-channel IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Robust Construction:** Designed for reliable performance in harsh environments.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafreewheeling diode for inductive load handling.  

This IGBT is commonly used in industrial, automotive, and renewable energy applications.