1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH20KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer Specifications:**
1. **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
2. **Current Rating (I_C @ 25°C):** 6A  
3. **Current Rating (I_C @ 100°C):** 3A  
4. **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 20W  
5. **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
6. **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 6A, V_GE = 15V)  
7. **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
8. **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160ns (typical)  
9. **Switching Speed:** Fast switching capability  
10. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRG4PH20KD is designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features a low V_CE(sat) for reduced conduction losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and other power electronics applications.  

### **Features:**
1. **Low Switching Losses:** Optimized for fast switching.  
2. **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
3. **Rugged Design:** High tolerance to overload conditions.  
4. **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for inductive load handling.  
5. **TO-247 Package:** Robust and industry-standard packaging for heat dissipation.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.