1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH20K is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 20A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Maximum Junction Temperature (T_J):** 150°C  

### **Description:**  
- The IRG4PH20K is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications.  
- It is part of IR’s **Ultrafast series**, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power conversion systems.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for high-frequency applications.  
- **High input impedance** (MOSFET-like gate drive characteristics).  
- **Built-in fast recovery diode** for improved efficiency.  
- **TO-247 package** for better thermal performance.  

For exact details, refer to the official datasheet from International Rectifier (IR).