900V Warp 20-100 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PF50WD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 900V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 45A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 45A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 270ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PF50WD is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  
- The device is optimized for motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency in high-frequency circuits.  
- **High current capability** with a rugged design for reliable performance.  
- **Co-packaged ultra-fast soft recovery diode** for improved system efficiency.  
- **Temperature-stable characteristics** for consistent operation under varying conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.