600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC50W is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 55A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 28A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 200W  
- **Maximum Junction Temperature (T_J):** 150°C  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat) @ I_C = 55A, V_GE = 15V):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 300ns (typical)  
- **Input Capacitance (C_ies):** 1800pF (typical)  

### **Description:**  
The IRG4PC50W is a high-speed, rugged IGBT designed for applications requiring high efficiency and fast switching. It features a low saturation voltage and is optimized for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Rugged Design:** Robust construction for reliable performance.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast soft recovery antiparallel diode for inductive load handling.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.