600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC50UPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 55A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 55A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Combines the advantages of MOSFET and bipolar transistor technologies.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency circuits.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Robust Construction:** TO-247AC package ensures good thermal performance.  
- **Temperature Stability:** Reliable operation across a wide temperature range.  

This information is strictly factual from the datasheet. Let me know if you need further details.