600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC40WPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 40A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PC40WPBF is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for motor control, inverters, and UPS (Uninterruptible Power Supply) systems.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultra-fast anti-parallel diode for improved reliability.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.