600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC30KD is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRG4PC30KD  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_D @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 150W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min) – 6V (max)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 15V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 250pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PC30KD is a high-speed, N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for power switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics with bipolar conduction for high efficiency.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Improves efficiency in switching applications.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with standard logic levels.  
- **Robust Construction:** Designed for reliability in harsh environments.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal dissipation.  

This information is sourced from the official IR datasheet for the IRG4PC30KD.