600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC30W is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 14A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**
- The IRG4IBC30W is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications.  
- It combines the high input impedance of a MOSFET with the low conduction losses of a bipolar transistor.  
- Suitable for high-frequency switching in power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Easy drive compatibility with logic-level signals.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances performance in inductive load applications.  
- **Rugged Design:** High tolerance to short-circuit and overcurrent conditions.  

This information is strictly factual from the manufacturer's datasheet.