600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC30KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 34A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical) @ I_C = 34A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRG4IBC30KD is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It features a trench-gate field-stop technology for improved efficiency.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for high-frequency applications.  
- **High current capability** with rugged design.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation.  
- **Co-packaged with ultrafast soft recovery diode** for improved efficiency.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRG4IBC30KD.