600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC20UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4IBC20UD  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 13A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 13A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 120ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRG4IBC20UD is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications. It features a trench gate structure for improved efficiency and reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- Low V_CE(sat) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for high-frequency applications  
- High input impedance and simple drive requirements  
- Co-packaged with an ultra-fast soft recovery diode  
- Robust and reliable performance in power circuits  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRG4IBC20UD.