600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC20KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4IBC20KD  

#### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 9A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 13ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

#### **Description:**  
The IRG4IBC20KD is a high-speed IGBT designed for switching applications, featuring low conduction and switching losses. It is suitable for use in power converters, motor drives, and inverters.  

#### **Features:**  
- Low V_CE(sat) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High input impedance  
- Robust and reliable construction  
- Co-packaged with an ultrafast soft recovery diode for improved efficiency  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRG4IBC20KD. For detailed specifications, refer to the official documentation.