600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC10UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from the datasheet:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 8A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 4.5A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRG4IBC10UD is a **N-channel IGBT** designed for high-speed switching applications.  
- It features **low conduction and switching losses**, making it suitable for power conversion and motor control.  
- The device is optimized for **high-frequency operation** with a fast switching speed.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency in high-frequency circuits.  
- **High input impedance** (MOSFET-like gate drive characteristics).  
- **Built-in fast recovery diode** for improved performance in inductive load applications.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is sourced from the official **International Rectifier (IR) datasheet** for the IRG4IBC10UD.