1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BH20K-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 20A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 20A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4BH20K-S is a high-speed IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for motor control, inverters, and UPS (Uninterruptible Power Supply) systems.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power circuits.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Robust Construction:** Designed for reliable performance in harsh environments.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafreewheeling diode for improved performance in inductive load applications.  

The IRG4BH20K-S is packaged in a TO-247AC (3-pin) through-hole package.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)