600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2Pak package The IRG4BC40WS is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IRG4BC40WS is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It features a trench gate structure for improved switching performance.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**
- Low V_CE(sat) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for high-frequency applications.  
- High input impedance and simple drive requirements.  
- Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode for improved efficiency.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.