600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC40W is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 18A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 300ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC40W is a high-speed, rugged IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics with bipolar output performance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
- **Robust Design:** Built-in anti-parallel diode for inductive load handling.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole mounting.  

This information is strictly based on manufacturer specifications. For detailed application guidelines, refer to the official datasheet.