600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC40U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 12A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 12A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRG4BC40U is a high-speed, rugged IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics with bipolar output characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in power applications.  
- **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
- **Rugged Design:** High tolerance to overload conditions.  
- **Isolated Package:** TO-220AB package with isolated mounting tab.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or testing conditions, refer to the official documentation.