600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 180ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC30UD is a high-speed, rugged IGBT designed for switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-load conditions.  
- **Rugged Design:** Built to withstand harsh operating conditions.  
- **Co-packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for inductive load handling.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole mounting for easy integration.  

This information is sourced directly from Infineon's datasheets and product documentation.