600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 23A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC30U is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for power switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics and bipolar output characteristics, making it suitable for high-voltage and high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
- **Robust Design:** Suitable for demanding industrial and automotive applications.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This IGBT is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-power switching circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)