600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRG4BC30S  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Switching Speed:** Fast switching IGBT  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC30S is a high-speed IGBT designed for power switching applications. It combines the high input impedance of a MOSFET with the low conduction losses of a bipolar transistor, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Improves efficiency in conduction.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high load currents.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching performance and reduces losses.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.