600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30KPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The IRG4BC30KPBF is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion applications.  
- The device is optimized for motor control, inverters, and UPS systems.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplifies drive requirements.  
- **Robust Construction:** Ensures reliability in harsh environments.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for inductive load handling.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.