600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 23A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 13ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 320ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC30KD is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications. It features a trench gate structure for improved performance in power electronics applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Provides efficient conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Robust Design:** Suitable for harsh industrial environments.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultra-fast anti-parallel diode for inductive load handling.  

### **Package:**  
- **TO-247 (3-pin):** Industry-standard through-hole package for high-power applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.