600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20WPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 13A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 42W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRG4BC20WPBF is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics with bipolar output characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.

### **Features:**  
- Low V_CE(sat) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High input impedance and low drive requirements  
- Robust and reliable performance  
- Co-packaged with an ultrafast soft recovery diode  

This IGBT is commonly used in applications such as motor drives, inverters, UPS systems, and power supplies.  

(Source: Infineon Technologies datasheet for IRG4BC20WPBF)