600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20W is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** IGBT (N-Channel)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 6A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 3.5A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Switching Speed:** Fast switching with low conduction losses  
- **Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  
- Features a low saturation voltage (V_CE(sat)) for reduced power losses.  

### **Features:**
- **Low Switching Losses:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Easy drive compatibility with MOSFETs.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in power conversion.  
- **Robust Construction:** Built for reliability in demanding environments.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes a freewheeling diode for inductive load protection.  

For exact performance curves and application-specific details, refer to the official datasheet from International Rectifier.