600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 13A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 13A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20UD is a high-speed, low-loss IGBT designed for power switching applications. It features a trench gate structure for improved efficiency and reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Input Impedance:** Simplifies drive requirements.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Improves switching performance.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.