600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20SPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 13A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRG4BC20SPBF is a high-speed switching IGBT designed for power electronics applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  
- The device includes a co-packaged ultrafast soft recovery diode for improved efficiency.  

### **Features:**  
- **High-speed switching capability**  
- **Low saturation voltage**  
- **Ultrafast soft recovery diode**  
- **High input impedance**  
- **Robust and reliable performance**  
- **TO-220AB package for easy mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.