600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package The **IRG4BC20MD-S** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at 9A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The **IRG4BC20MD-S** is a **600V, 9A** IGBT designed for **high-speed switching applications**.  
- It features **low conduction and switching losses**, making it suitable for **motor control, inverters, and power supplies**.  
- The device is **optimized for energy efficiency** and operates reliably in **high-temperature environments**.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **High input impedance** (MOSFET-like gate drive).  
- **Robust and reliable** for industrial applications.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This information is sourced directly from Infineon's datasheet and technical documentation. No additional suggestions or interpretations are included.