600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 13A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 80ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20KD is a high-speed switching IGBT designed for applications requiring efficient power control, such as motor drives, inverters, and switching power supplies. It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency operation.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses  
- **High input impedance** for simplified drive requirements  
- **Robust and reliable** construction for industrial applications  
- **Co-packaged with ultra-fast soft recovery diode** for improved performance  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRG4BC20KD.