600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20K is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel IGBT  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 9A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low switching losses for improved efficiency.  
- High input impedance and low drive requirements.  
- Fast switching performance for motor control, inverters, and power supplies.  
- Co-packaged with an ultrafast recovery diode for improved performance in inductive load applications.  
- Robust construction for industrial and automotive applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.