600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20FD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRG4BC20FD  
- **Type:** IGBT (N-Channel)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Electrical Specifications:**
- **Collector-Emitter Voltage (V_CES):** 600V  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GES):** ±20V  
- **Collector Current (I_C):** 9A (at 25°C)  
- **Pulsed Collector Current (I_CM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **V_CE(on) (Saturation Voltage):** 1.65V (typical at I_C = 9A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 85ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  
- **Temperature-Stable Performance:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  
- **Built-In Fast Recovery Diode:** Includes an anti-parallel diode for improved switching performance.  
- **Applications:** Suitable for motor drives, inverters, UPS systems, and other power electronics applications.  

This information is derived from Infineon's official datasheet for the IRG4BC20FD.